继上周五收涨近31%后，(02577.HK)今日再度一路攀高，涨超25%，总市值创650亿港元新高。
持续大涨背后，最大的助攻在于：上周英诺赛科宣布已于近日与英伟达达成合作，联合推动800VDC(800伏直流)电源架构在AI数据中心的规模化落地。
该架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。
根据名录显示，英诺赛科是本次入选英伟达合作伙伴中唯一的中国芯片企业。
这场合作让英诺赛科站上“超级风口”，也揭示了第三代半导体在AI时代的核心战略价值。
英诺赛科入链，英伟达800V再添“中国芯”
早在今年5月的COMPUTEX展会上，英伟达就宣布从2027年开始率先将数据中心机架电源从54V往800V HVDC过渡通过高压架构以支持1MW以上的数据中心IT机架。
而数据中心往高压架构的转变，带来的是从系统到元器件的大规模变革。因为传统54V电源架构在高功率场景下已显疲态：当功率超 200kW时，MW级AI机架需占用64U空间、消耗200kg铜缆，转换效率低至85%以下，物理局限十分凸显。
相比之下，英伟达的800V HVDC架构通过工业级整流器将13.8kV交流电直接转为直流电，省去中间转换环节，能源损耗减少，系统能效提升5%，维护成本降低 70%，还能减少散热费用。
为此，一度被视为面向未来的AI基础设施，英伟达预计2027年800V HVDC与Kyber机架级系统同步投产。此次合作将单机房算力密度将提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级供电时代。
彼时，英伟达也公布了800 V HVDC数据中心配电系统生态的主要行业合作伙伴名单，覆盖芯片、电力系统组件、数据中心电力系统等供应商，并透露了其中有一家国内头部功率GaN厂商导入到英伟达数据中心电源供应链。
时隔三个月后，英伟达在官网更新了合作伙伴名单，将英诺赛科加入到芯片供应商名单中。
在芯片供应商上同期还新增的还有ADI、安森美、瑞萨等国际知名大厂，英诺赛科是此次入选中唯一的中国芯片企业。
截至目前，英伟达800 V HVDC数据中心配电系统生态中的芯片供应商包括ADI、英飞凌、英诺赛科、MPS、、安森美、罗姆、ST、TI这几家，就两家中国供应企业。
按照这一规划，从现在开始的这两年中，英诺赛科将优先享受800V架构需求释放的红利，为其Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案。
根据公开信息，此次双方的合作聚焦AI数据中心供电革命，解决高算力集群的能耗痛点。英伟达预计2026年量产Rubin Ultra平台（单机柜功率600kW+），英诺赛科的GaN器件将用于集中式整流器（HVDC）的高压转换以及机架式DC-DC电源模块（800V→48V高效转换）
其技术优势在于：高压适配性好，其GaN器件耐压能力达800V以上，能源转换效率提升至98.5%，较传统硅基方案损耗降低30%；空间优化能力强，其产品器件体积仅为硅基的1/5，助力单机柜功率密度突破300kW，机房面积缩减40%。
海外猛增118%后，英诺GaN出海即将再提速
根据公开资料显示，成立于2015年12月的英诺赛科，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企，也是全球首家大规模量产8英寸晶圆的氮化镓IDM企业，拥有强大的技术先发优势与产业链协同能力。
作为全球唯一具备全电压谱系的产品矩阵的硅基氮化镓芯片企业，英诺赛科已经量产及研发的产品电压覆盖15V到1200V。其中，新一代700V氮化镓器件平台已经完成客户导入，预计2025年开始量产；开发的1200V平台及高压V-GaN系列产品中，1200V平台产品亦已完成研发验证。此外
据公司2024年财报披露，英诺赛科芯片整体良率在2024年达到95%，推动单位制造成本下降近40%，加速提升盈利能力。
这一系列产线和技术优势从在财报数据中得到凸显。
财报显示，2024年-2025H1期间，英诺赛科展现出强劲的业绩增长与业务突破。
营收层面，2024年其实现营收8.28亿元，同比增长39.8%，连续四年保持超高增速；经营效率更是显著改善，毛利率从2023年的-61.6%大幅改善至-19.5%，亏损收窄42.1个百分点。
而这背后是其规模化效益的加速释放。2024年内，英诺赛科新增加客户导入471项，新增21家直销客户、13家经销商，客户大增下，全年其交付氮化镓芯片6.6亿颗，出货量呈现几何数增长态势。
从区域市场表现来看，国内市场维持稳健高增长，全年大增31.2%至7亿元，仍是其核心市场。
海外市场的业绩贡献占比虽小，但成长速度十分迅猛。2024年海外市场销售收入达到1.26亿元，同比增长118.1%，收入占比从9.7%快速增至15.3%。在海外市场上，英诺赛科已经与欧美多家传统功率芯片大厂展开战略合作，共同推动氮化镓芯片在消费电子、汽车电子等领域的大规模应用，完善氮化镓生态体系。
毫无疑问，此次进入英伟达供应链后，英诺赛科海外业务收入加速释放的确定性极高。
据场内一些投资者粗略测算，在短期直接订单增量上，据悉英伟达计划2025年Q3量产GB300 AI服务器，且单台PCB价值量提升30%+，英诺赛科作为核心GaN器件供应商，合理预估分得单台服务器电源模块价值将不少。
按伟达AI服务器年产能50万台测算，仅2025年便可为英诺赛科带来10-15亿元新增收入，相当于其2024年总营收121%。
如此可观的增长，也就能理解市场的疯狂了。
长周期中，据悉英伟达800V架构将推动全球数据中心供电系统升级，未来3-5年市场规模超千亿，渗透率35%。作为英伟达核心GaN供应商，英诺赛科凭借IDM模式（产能13k片/月，良率95%）有望占据20%以上份额。
生态协同放大效应前夕：AI服务器电源芯片已暴增669%
同样重要的是站在产业链的维度，英诺赛科在整个AI硬件供应链中的地位也将得到进一步凸显，可能进入更多知名大客户供应名单中。
基于英伟达在全球AI科技发展中的独特性地位，此次合作能赋予英诺赛科极强的生态协同放大效应。据悉，英诺赛科技术路径获、跟进，未来有望通过英伟达生态切入更多海内外AI科技巨头生态中。
行动上，英诺赛科目前确实在不断拓宽自己多元的应用布局。事实上，随着万物互联、万物智能化大趋势的演进，消费能电子、汽车电子、各类机器人和被AI赋能的具身智能赛道都少不了一些核心芯片零部件的支撑。
在消费电子领域，英诺赛科将氮化镓芯片产品的应用从传统充电器、适配器市场拓展到手机、笔记本、电视、空调、音频系统、厨房电器等细分市场。2024年，其消费电子营收同比增长48%。
智能化需求爆发的新能源汽车业务则爆发力更强，全年其车规级芯片交付量同比增长986.7%。资料显示，面向汽车激光雷达的性能需求，英诺赛科推出了封装更小的100V车规器件，降低了功率损耗和温升，更好的满足车载激光雷达的需求；2024年英诺赛科发布的100V半桥合封芯片，在提高电源效率和功率密度、减少器件占用空间和散热需求的同时，降低电源制造和成本。
这款芯片能够适应数据中心和电动汽车48V电压转换系统，且在机器人伺服器方面展现巨大应用潜力。
目前，英诺赛科已就人形机器人市场，推出了150V/100V氮化镓产品，覆盖关节以及灵巧手电机驱动，智能电源转换及电池管理应用。其中，100W关节电机驱动产品已经实现量产。
英诺赛科近期推出的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，不仅是全球首个实现大规模量产的100V级GaN解决方案，更通过双面散热封装与优化设计，重新定义了电源系统的性能边界，为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了全新解决方案。
财报披露，其伺服器电源芯片出货量持续增长，应用于48V转12V的氮化镓新品量产，AI及数据中心芯片交付数量同比增长669.8%。
技术和产品力先后获得上游客户认可的同时，英诺赛科的产能扩张也没落后太多，目前企已募资5.43亿港元用于扩产，并计划将2026年的资本开支增至14亿元，以支撑订单交付。截至目前，其8英寸晶圆月产能从1.3万片提升至2万片，良率稳定在95%。
短期看，合作推动公司市值单日涨幅超64%，中长期有望通过技术标准卡位与产能释放，巩固其在第三代半导体领域的全球竞争力。
综上，英诺赛科凭借IDM模式优势与技术迭代，在消费电子、汽车电子及AI领域实现高速增长，而英伟达供应链的突破为其打开了AI基础设施升级的增量市场空间。