三星电子正专注于人工智能等高附加值业务，力争在今年下半年实现业绩反弹。在内存领域，该公司正在扩大先进HBM（高带宽内存）的出货量，并开发下一代产品。与此同时，晶圆代工业务正致力于争取包括特斯拉在内的全球大型科技客户，并推进其2纳米（nm）工艺的进展。

在内存领域，预计DRAM价格将从今年下半年开始大幅上涨。NAND价格也有望从第三季度开始反弹。因此，三星电子计划扩大HBM和尖端DRAM等AI服务器内存产品的销售，并从第三季度开始量产下一代低功耗DRAM模块SoCAMM 。

尤其是HBM3E的占比预计将有所提升。今年第二季度，HBM3E占据了三星电子HBM整体业务的80%以上，预计今年下半年将超过90%。此外，HBM4的1c DRAM量产审批已完成，HBM4样品已向客户供应。

据悉，三星正在降低其 HBM3E 工艺的价格，以吸引主要客户的兴趣。

就三星及其HBM业务而言，迄今为止，这家韩国巨头的处境并不顺利，因为该公司仍未获得NVIDIA的订单，而NVIDIA的订单最终将被证明是一个巨大的突破。然而，这家韩国巨头似乎计划采取更积极的策略，并在最近的第二季度财报电话会议上披露了HBM价格受到的影响，声称HBM的供应已经超过了需求，而降价可能是三星吸引客户兴趣的一种方式。

然而，鉴于三星拥有该领域最大的生产线之一，HBM 价格下降可能会显著有利于三星。这意味着，通过提供更便宜的 HBM3E 工艺，要么竞争对手不得不降价，要么三星将获得部分市场份额。不过，目前价格变化对三星业务的影响还有待观察，但 SK 海力士和美光等竞争对手似乎需要做出改变。

与此同时，三星代工厂已成功完成其第一代 2 纳米 (nm) 工艺的可靠性评估，量产准备工作进展顺利。该公司还建立了第二代 2 纳米工艺的技术基础设施，扩大了大客户的订单。此举有望增强其 Exynos 2600 移动应用处理器 (AP) 的竞争力。

三星电子最近还与特斯拉签订了一份价值约 22 万亿韩元的半导体代工合同。这些芯片的量产将在位于德克萨斯州泰勒市目前正在建设的新代工厂进行。为此，三星电子计划在今年和明年投资扩大该工厂的产能。

三星电子表示，“这是一个展示我们先进制造工艺竞争力的机会”，并补充道，“我们预计未来将从大客户那里获得更多份额。”